非鉄金属ターゲット材 金属ストロンチウム(Sr) - 2N5

元素記号:Sr
純度:Sr≧99.5%

原子量:87.62

熔  点:777℃

沸  点:1382℃

密  度:2.64g/cm3

用途:ゲッター材、ターゲット材

 

梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

 

  • 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

成分
Sr
99.5%


よく比較される材料 その他材料比較
分類名 特性 用途 その他説明
比重硬度熔点沸点融点
金属アンチモン(Sb) -3N
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6.69g/cm³3モース硬度630℃1587℃-ターゲット、アンチモンは半金属に分類されるレアメタルの一つです。古くは顔料や化粧品の材料に使われたこともありましたが、毒性のため現在はこうした用途では使われていません。主として半導体材料や電極、合金材料などに使われています。三酸化アンチモンには難燃効果もあるため、燃えやすいゴム、プラスチック、繊維などに添加することで防燃材としても活用されています。
金属テルル(Te) - 4N
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6.24g/cm³2.25モース硬度450℃988℃-ターゲット、半導体部品、テルルはカルコゲンに分類される半金属の一つで、レアメタルでもあります。有毒な金属であり、体内に取り込まれると悪臭を放つとされます。 テルルの主要な用途は鉄鋼素材へ添加することで快削性や耐食性を向上させることができることから、合金添加元素として用いられるほか、DVD-RAMの記憶媒体や熱電変換素子としても使われます。
高純度チタン(Ti) - 5N
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4.506g/cm³2.25モース硬度1668℃3277℃-ターゲット、半導体材料、スパッタリングターゲット材、真空装置内のゲッター材料、
金属バナジウム(V) - 2N5
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6.11g/cm³2.25モース硬度1910℃3407℃-ターゲット材、
金属マンガン(Mn) - 3N
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7.3g/cm³2.25モース硬度1246℃2095℃-ターゲット、
金属コバルト(Co) - 3N5
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8.92g/cm³2.25モース硬度1495℃2927℃-ターゲット、金属コバルトは、良好な半導体性質と、磁性及び導電性能を有しています。 高純度コバルトは、磁気記録媒体、光電気のセンサー、集積回路等の装置部品によく使われている重要な材料でもあります。
金属ニッケル(Ni) - 4N
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8.908g/cm³2.25モース硬度1455℃2732℃-スパッタリングターゲット、磁性薄膜、特殊電子材料及び合金材料、
金属クロム(Cr) - 3N5
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7.19g/cm³2.25モース硬度1907℃2671℃-半導体チップ、精密電子部品、光学材料のコーティング材料、金属クロムは、耐摩耗、抗腐食、スパッタリングの付着力が良く、なお、優れた導熱導電性を有しているため、半導体チップ、精密電子部品、光学材料のコーティング材料として使われています。
金属亜鉛(Zn) - 4N5
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7.14g/cm³2.25モース硬度419.5℃907℃-ターゲット材、半導体材料、
金属マグネシウム(Mg)
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1.738g/cm³2.25モース硬度650℃1100℃-ターゲット材、
金属ボロン(B) - 3N
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2.34g/cm³2.25モース硬度2075℃2550℃-ターゲット、半導体材料、
金属バリウム(Ba) - 2N5
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3.62g/cm³2.25モース硬度727℃1640℃-ターゲット、脱ガス・エージェント、ゲッター材、合金材料、
金属ストロンチウム(Sr) - 2N5
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2.64g/cm³2.25モース硬度777℃1382℃-ターゲット材、ゲッター材、
金属カルシウム(Ca) - 2N5
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1.55g/cm³2.25モース硬度842℃1484℃-脱ガス・エージェント、ゲッター材、ターゲット、
金属リチウム(Li) - 3N
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0.53g/cm³2.25モース硬度180.541330℃-ターゲット、
金属鉛(Pb) - 4N5
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11.34g/cm³2.25モース硬度327.5℃1749℃-ターゲット、
金属タングステン(W) - 3N5
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19.30g/cm³2.25モース硬度3695℃5828℃-ターゲット、
金属ビスマス(Bi) - 4N
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9.8g/cm³2.25モース硬度3695℃1560℃271.3℃ターゲット、クリーンルームでの真空溶解により製造されています。
金属ゲルマニウム(Ge) - 5N
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5.32g/cm³2.25モース硬度937.2℃2830℃271.3℃ターゲット、太陽光半導体部品、
結晶ジルコニウム(Zr) - 3N5
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6.506g/cm³2.25モース硬度1855℃3580℃271.3℃ターゲット、特殊合金溶解、
結晶ハフニウム(Hf) - 3N
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13.31g/cm³2.25モース硬度2227℃4602℃271.3℃ターゲット、
金属タンタル(Ta) - 3N5
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16.69g/cm³2.25モース硬度3290℃5731℃271.3℃ターゲット、
金属モリブデン(Mo) - 3N5
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10.30g/cm³2.25モース硬度2896℃4912℃271.3℃ターゲット、
金属タンタル(Ta) - 4N
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16.69g/cm³2.25モース硬度3290℃5731℃271.3℃ターゲット、
金属ニオブ(Nb) - 3N
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8.57g/cm³2.25モース硬度2750℃5017℃271.3℃ターゲット、
分類名 成分
金属アンチモン(Sb) -3N
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Sb -----
99.9%-----
金属テルル(Te) - 4N
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Te -----
99.99%-----
高純度チタン(Ti) - 5N
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Ti -----
99.999%-----
金属バナジウム(V) - 2N5
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V -----
99.5%-----
金属マンガン(Mn) - 3N
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Mn -----
99.9%-----
金属コバルト(Co) - 3N5
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Co -----
99.95%-----
金属ニッケル(Ni) - 4N
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Ni -----
99.99%-----
金属クロム(Cr) - 3N5
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Cr -----
99.95%-----
金属亜鉛(Zn) - 4N5
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Zn -----
99.995%-----
金属マグネシウム(Mg)
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Mg -----
99.95%-----
金属ボロン(B) - 3N
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Be -----
99.9%-----
金属バリウム(Ba) - 2N5
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Ba -----
99.5%-----
金属ストロンチウム(Sr) - 2N5
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Sr -----
99.5%-----
金属カルシウム(Ca) - 2N5
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Ca -----
99.5%-----
金属リチウム(Li) - 3N
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Li -----
99.9%-----
金属鉛(Pb) - 4N5
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Pb -----
99.95%-----
金属タングステン(W) - 3N5
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W -----
99.95%-----
金属ビスマス(Bi) - 4N
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Bi Cu Pb Zn Fe Ag
99.99%0.001%0.001%0.0005%0.001%0.004%
金属ゲルマニウム(Ge) - 5N
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Ge -----
99.999%-----
結晶ジルコニウム(Zr) - 3N5
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Zr -----
99.95%-----
結晶ハフニウム(Hf) - 3N
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Hf -----
99.9%-----
金属タンタル(Ta) - 3N5
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Ta -----
99.95%-----
金属モリブデン(Mo) - 3N5
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Mo -----
99.95%-----
金属タンタル(Ta) - 4N
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Ta -----
99.99%-----
金属ニオブ(Nb) - 3N
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Nb -----
99.9%-----

ジスプロシウム(Dy) - 3N

¥5,950~ 納期:25日

【原産国】CHINA

【用途】その他,ターゲット

【商品說明】元素記号:Dy 純度:Dy 3N 原子量:162.50 融点:1412℃ 沸点:2567℃ 密度:8.55g/cm⊃3;   用途:ターゲット材として、その他   説明:銀白色の金属で、その存在がきわめて偏在しております。    空気中で表面が酸化され、高温で燃焼して Dy2O3 となります。    水にはゆっくりと溶け、酸に易溶します。    光磁気ディスク(光メモリ)の材料や磁石、蓄光剤の添加剤として利用されています。   梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。

金属鉛(Pb) - 4N5

¥10,843~ 納期:15日

【原産国】CHINA

【用途】その他,ターゲット

【商品說明】元素記号:Pb 純度:Pb≧99.95% 原子量:207.2 熔  点:327.5℃ 沸  点:1749℃ 密  度:11.34g/cm3   梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。 ミルシート有。

金属ゲルマニウム(Ge) - 5N

¥23,234~ 納期:15日

【原産国】CHINA

【用途】その他,ターゲット

【商品說明】素記号:Ge 純度:Ge≧99.999% 熔点:937.2℃ 密度:5.32g/cm⊃3;   用途:ターゲット、太陽光半導体部品。 梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。 ミルシート有。

金属クロム(Cr) - 3N5

¥9,294~ 納期:15日

【原産国】CHINA

【用途】その他,ターゲット

【商品說明】元素記号:Cr 純度:Cr≧99.95% 原子量:54.9961 熔  点:1907℃ 沸  点:2671℃ 密  度:7.19g/cm3   用途:金属クロムは、耐摩耗、抗腐食、スパッタリングの付着力が良く、 なお、優れた導熱導電性を有しているため、半導体チップ、精密電子部品、光学材料のコーティング材料として使われています。 梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。 ミルシート有。

酸化亜鉛

¥7,560~ 納期:15日

【原産国】CHINA

【用途】その他,導電膜形成時

【商品說明】化学式:ZnO 分子量:81.39 密度:5.6g/cm3 融点:1975℃ 屈折率:2 透明波段(um):0.4-16um 製造方法:Vacutln Sintering 相対密度:>99% 外観:白色 説明:導電膜形成時などに使われています。

窒化チタン

¥20,160~ 納期:15日

【原産国】CHINA

【用途】その他,高温構造材料

【商品說明】化学式:TiN 融点:2950℃ 密度:5.43-5.44g/cm3 製造方法:HP熱圧 説明:融点と硬度が高く、化学安定性を有しており、         さらに比較的高い導電性と超導電性を有しているため、高温構造材料としてよく使われています。

金属バリウム(Ba) - 2N5

¥27,881~ 納期:15日

【原産国】CHINA

【用途】その他,ターゲット

【商品說明】元素記号:Ba 純度:B≧99.5% 原子量:137.33 熔  点:727℃ 沸  点:1640℃ 密  度:3.62g/cm3 用途:脱ガス・エージェント、ゲッター材、合金材料   梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。 ミルシート有。

金属ストロンチウム(Sr) - 2N5

¥27,881~ 納期:15日

【原産国】CHINA

【用途】その他,ターゲット

【商品說明】元素記号:Sr 純度:Sr≧99.5% 原子量:87.62 熔  点:777℃ 沸  点:1382℃ 密  度:2.64g/cm3 用途:ゲッター材、ターゲット材   梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。 ミルシート有。

ジスプロシウム(Dy)蒸着材 - 3N

¥125,853~ 納期:25日

【原産国】CHINA

【用途】蒸着材

【商品說明】分子量:162.5 融点:1409 沸点:2562 密度(重量):8.54 相对密度:100% 製造方法:クラック/真空烧结   用途:蒸着材                                      日本国内での実績有

ニッケル(Ni)蒸着材 - 4N

¥20,451~ 納期:10日

【原産国】CHINA

【用途】蒸着材

【商品說明】元素記号:Ni 純度:Ni≧99.99% 原子量:58.69 熔  点:1455℃ 沸  点:2732℃ 密  度:8.908g/cm3   用途:スパッタリングターゲット、磁性薄膜、特殊電子材料及び合金材料 梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績有り ミルシート有り