二酸化ハフニウム(Hf02)蒸着材 - 3N

二酸化ハフニウム(Hf02)蒸着材 - 3N

HfO2 - 3N    

分子量:210.4888

融点:2182

密度(重量):9.68

相对密度:60%

製造方法:破片/圧片焼結

 

用途:蒸着材

                                    

  • 日本国内での実績有


よく比較される材料 その他材料比較
分類名 特性 用途 その他説明
比重融点沸点相対密度製造方法表面処理熔点表面密度膨張係数熱伝導率ヤング率
アルミ(Al)蒸着材 - 5N
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2.70g/cm³660.4℃2519℃---------蒸着材、高い導電率と良好な塑性を有しているため、電子工業、半導体材料、ターゲット材及びその他特殊用途として使われています。
銅(Cu)蒸着材 - 3N7
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8.94g/cm³1083℃2562℃---------蒸着材、良好な導電性、伸び、抗腐食力を有しているため、コストの高い金属材料の代わりに使われることが多いです。 電子、通信、宇宙航空分野等幅広く使われています。
銅(Cu)蒸着材 - 5N
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8.94g/cm³1083℃2562℃---------蒸着材、良好な導電性、伸び、抗腐食力を有しているため、コストの高い金属材料の代わりに使われることが多いです。 電子、通信、宇宙航空分野等幅広く使われています。
二酸化シリコン(SiO2)蒸着材 - 4N
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2.65g/cm³1650℃2230℃100%クラック/溶解-------蒸着材、
ホウ化チタン(TiB2)蒸着材 - 2N5
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4.52g/cm³2980℃2230℃90%クラック/真空熱圧焼結-------蒸着材、
窒化ボロン(BN)蒸着材 - 2N5
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2.26g/cm³3000℃2230℃75%クラック/真空窒素熱圧焼結-------蒸着材、
酸化亜鉛(ZnO)蒸着材 - 4N
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5.606g/cm³1975℃2360℃98%クラック/真空焼結-------蒸着材、
ニオブ(Nb)蒸着材 - 3N5
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8.57g/cm³2468℃4742℃95%ニオブ材カットカット酸洗------蒸着材、
マグネシウム(Mg)蒸着材 - 3N5
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1.738g/cm³2468℃1100℃95%ニオブ材カットカット酸洗650℃-----蒸着材、ターゲット材、電極、
バリウム(Ba)蒸着材 - 3N
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3.62g/cm³2468℃1640℃95%ニオブ材カットカット酸洗727℃-----蒸着材、脱ガス・エージェント、ゲッター材、合金材料、
ジスプロシウム(Dy)蒸着材 - 3N
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8.54g/cm³1409℃2562℃100%クラック/真空焼結カット酸洗727℃-----蒸着材、
イットリウム(Y)蒸着材 - 3N5
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4.46891522℃3338℃100%クラック/真空焼結カット酸洗727℃-----蒸着材、
ガドリニウム(Gd)蒸着材 - 3N5
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7.9004g/cm³1311.0℃3233.0℃100%クラック/真空焼結カット酸洗727℃-----蒸着材、
結晶ハフニウム(Hf)蒸着材 - 3N5
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13.31g/cm³1311.0℃4602℃100%クラック/真空焼結カット酸洗2227℃-----蒸着材、
セリウム(Ce)蒸着材 - 3N
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6.7g/cm³799℃3426℃100%クラック/真空焼結アセトン研磨、油の中にて包装2227℃-----蒸着材、
ランタン(La)蒸着材 - 3N
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6.17g/cm³920℃3464℃100%クラック/真空焼結アセトン研磨、油の中にて包装2227℃-----蒸着材、ターゲット材、希土類元素の一つで、空気中で表面が酸化され、高温では酸化ランタン(III) La2O3 となります。ハロゲン元素と反応し、水にはゆっくりと溶ける性質を持っています。
鉛(Pb)蒸着材 - 4N5
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11.3437g/cm³327.502℃1749℃100%溶解バブル研磨2227℃-----蒸着材、
バナジウム(V)蒸着材 - 2N5
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6.11g/cm³327.502℃3407℃100%溶解バブル研磨1910℃-----蒸着材、ターゲット材、
ゲルマニウム(Ge)蒸着材 - 5N
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5.35g/cm³938.25℃2830℃100%クラック/区域溶解研磨1910℃-----蒸着材、
三酸化タングステン(WO3 )蒸着材- 3N
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7.27g/cm³938.25℃1837℃65%クラック/真空焼結研磨1473℃-----蒸着材、
銀(Ag)蒸着材 - 4N
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10.5g/cm³938.25℃2210℃65%クラック/真空焼結研磨961.8℃-----電子工業、ターゲット材、半導体部品、その他特殊用途、
モリブデン(Mo)蒸着材 - 3N5
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10.30g/cm³938.25℃4639℃65%クラック/真空焼結研磨2623℃-----ターゲット材、真空部品、その他特殊用途、
タングステン(W)蒸着材 - 3N5
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19.3g/cm³938.25℃5900℃65%クラック/真空焼結研磨3410℃-----ターゲット材、真空部品、その他特殊用途、
ジルコニウム(Zr)蒸着材 - 2N4
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6.506g/cm³938.25℃3580℃65%クラック/真空焼結研磨1855℃-----蒸着材、
鉄(Fe)蒸着材 - 3N5
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7.87g/cm³1538℃2861℃65%クラック/真空焼結研磨1855℃研磨----蒸着材、ターゲット材、薄膜形成及び宇宙航空関連、電子工業関連、その他特殊用途、良好な延性と導熱性を有しており、イーメタルズで提供している高純度鉄はターゲット材として使われています。その他にも薄膜形成及び宇宙航空関連、電子工業関連とその他特殊用途として使われています。
ニッケル(Ni)蒸着材 - 3N5
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8.908g/cm³1538℃2732℃65%クラック/真空焼結研磨1455℃研磨----スパッタリングターゲット、磁性薄膜、特殊電子材料及び合金材料、
ニッケル(Ni)蒸着材 - 4N
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8.908g/cm³1538℃2732℃65%クラック/真空焼結研磨1455℃研磨----スパッタリングターゲット、磁性薄膜、特殊電子材料及び合金材料、
ニッケル(Ni)蒸着材 - 4N5
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8.908g/cm³1538℃2732℃65%クラック/真空焼結研磨1455℃研磨----スパッタリングターゲット、磁性薄膜、特殊電子材料及び合金材料、
チタン(Ti)蒸着材 - 5N
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4.506g/cm³1538℃3277℃65%クラック/真空焼結研磨1668℃研磨----蒸着材、半導体材料、スパッタリングターゲット材、真空装置内のゲッター材料、
アルミ(Al)蒸着材 - 4N
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2.70g/cm³660.4℃2519℃65%クラック/真空焼結研磨1668℃研磨----蒸着材、高い導電率と良好な塑性を有しているため、電子工業、半導体材料、ターゲット材及びその他特殊用途として使われています。
二酸化ジルコニウム(ZrO2)蒸着材
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5.89g/cm³2700℃4300℃65%クラック/真空焼結研磨1668℃研磨----蒸着材、
酸化ハフニウム(HfO)蒸着材 - 4N
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9.68g/cm³2182℃4300℃60%破片/圧片焼結研磨1668℃研磨----蒸着材、
二酸化ハフニウム(Hf02)蒸着材 - 3N
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9.68g/cm³2182℃4300℃60%破片/圧片焼結研磨1668℃研磨----蒸着材、
二酸化ハフニウム(HfO2)蒸着材 - 4N
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9.68g/cm³2182℃4300℃60%破片/圧片焼結研磨1668℃研磨----蒸着材、
二フッ化マグネシウム(MgF2)蒸着材 - 4N
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3.148g/cm³1261℃2260℃99%クラック/結晶成長研磨1668℃研磨----蒸着材、
三酸化二アルミ(Al203)蒸着材 - 4N
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3.5-3.9g/cm³2050℃2980℃95%クラック/結晶成長研磨1668℃研磨----蒸着材、
三酸化二クロム(Cr203)蒸着材 - 3N
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5.21g/cm³2266℃4000℃60%クラック/真空焼結研磨1668℃研磨----蒸着材、
炭化チタン(TiC)蒸着材 - 2N5
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4.93g/cm³3140℃4820℃60%クラック/真空焼結研磨1668℃研磨----蒸着材、
酸化ニッケル(NiO)蒸着材 - 4N
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6.67g/cm³1984℃4820℃60%クラック/真空焼結研磨1668℃研磨----蒸着材、
三酸化二鉄(Fe203)蒸着材 - 3N5
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5.24g/cm³1565℃3414℃70%クラック/真空焼結研磨1668℃研磨----蒸着材、
酸化マグネシウム(MgO)蒸着材 - 3N5
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3.58g/cm³1565℃3414℃70%クラック/真空焼結研磨2852℃研磨----蒸着材、
三酸化モリブデン(MoO3)蒸着材 - 3N
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4.69g/cm³1565℃3414℃70%クラック/真空焼結研磨795℃研磨----蒸着材、
炭化ボロン(B4C)蒸着材 - 2N5
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4.69g/cm³1565℃3500℃70%クラック/真空焼結研磨2350℃研磨----蒸着材、
硫化亜鉛(ZnS)蒸着材 - 4N
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4.09g/cm³1565℃3500℃70%クラック/真空焼結研磨2350℃研磨----蒸着材、
二酸化チタン(Ti02)蒸着材 - 4N
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4.29g/cm³1800℃3500℃70%真空焼結/HIP研磨2350℃研磨95%---蒸着材、
五酸化三チタン(Ti305)蒸着材 - 3N5
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4.29g/cm³1800℃3500℃90%真空焼結/HIP研磨2350℃研磨95%---蒸着材、
二フッ化セリウム(CeF2)蒸着材 - 3N5
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6.16g/cm³1800℃3500℃90%真空焼結/HIP研磨1418℃研磨95%---蒸着材、
酸フッ化イットリウム(YF3)蒸着材 - 3N5
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5.24g/cm³1565℃3414℃70%真空焼結/HIP研磨1418℃研磨95%---蒸着材、
二フッ化バリウム(BaF2)蒸着材 - 4N
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4.80g/cm³1565℃3414℃70%真空焼結/HIP研磨1360℃研磨95%18.1×10-6/℃11.72W/mK53.07Gpa蒸着材、無色結晶体、蒸気有毒の為取扱注意必要
分類名 成分
アルミ(Al)蒸着材 - 5N
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Al
99.999%
銅(Cu)蒸着材 - 3N7
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Cu
99.97%
銅(Cu)蒸着材 - 5N
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Cu
99.999%
ニオブ(Nb)蒸着材 - 3N5
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Nb
99.95%
マグネシウム(Mg)蒸着材 - 3N5
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Mg
99.95%
バリウム(Ba)蒸着材 - 3N
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Ba
99.5%
ジスプロシウム(Dy)蒸着材 - 3N
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Dy
99.9%
イットリウム(Y)蒸着材 - 3N5
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Y
99.95%
ガドリニウム(Gd)蒸着材 - 3N5
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Gd
99.95%
結晶ハフニウム(Hf)蒸着材 - 3N5
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Hf
99.9%
セリウム(Ce)蒸着材 - 3N
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Ce
99.9%
ランタン(La)蒸着材 - 3N
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La
99.9%
鉛(Pb)蒸着材 - 4N5
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Pb
99.95%
バナジウム(V)蒸着材 - 2N5
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V
99.5%
ゲルマニウム(Ge)蒸着材 - 5N
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Ge
99.999%
三酸化タングステン(WO3 )蒸着材- 3N
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W
99.9%
銀(Ag)蒸着材 - 4N
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Ag
99.99%
モリブデン(Mo)蒸着材 - 3N5
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Mo
99.95%
タングステン(W)蒸着材 - 3N5
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W
99.95%
ジルコニウム(Zr)蒸着材 - 2N4
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Zr
99.95%
鉄(Fe)蒸着材 - 3N5
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Fe
99.95%
ニッケル(Ni)蒸着材 - 3N5
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Ni
99.95%
ニッケル(Ni)蒸着材 - 4N
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Ni
99.99%
ニッケル(Ni)蒸着材 - 4N5
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Ni
99.995%
チタン(Ti)蒸着材 - 5N
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Ti
99.999%
アルミ(Al)蒸着材 - 4N
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Al
99.99%

高純度チタン(Ti) - 5N

¥7,745~ 納期:15日

【原産国】CHINA

【用途】その他,ターゲット

【商品說明】素記号:Ti 純度:Ti≧99.999% 原子量:47.88 熔点:1668℃ 沸点:3277℃ 密度:4.506g/cm⊃3; 用途:半導体材料、スパッタリングターゲット材、真空装置内のゲッター材料。 梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。 ミルシート有。

イットリウム(Y) - 3N

¥5,950~ 納期:25日

【原産国】CHINA

【用途】その他,ターゲット

【商品說明】元素記号:Y 純度:Y 3N 原子量:88.91 融点:1522℃ 沸点:3336℃ 密度:4.469g/cm⊃3;   用途:ターゲット材として、特殊合金金属の添加材、電極等   説明:単体は軟らかく銀光沢をもつ金属であり、蛍光体に使われ、赤色蛍光体はテレビのブラウン管ディスプレイやLED等に使われています。 ほかには電極、電解質、電気フィルタ、レーザー、超伝導体などに使われ、最近は医療技術にも応用されています。   梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。

イッテルビウム(Yb) - 3N

¥3,147~ 納期:25日

【原産国】CHINA

【用途】その他,ターゲット

【商品說明】元素記号:Yb 純度:Yb 3N 原子量:173.04 融点:819℃ 沸点:1196℃ 密度:6.97g/cm⊃3;   用途:ターゲット材として、その他   説明:灰色の金属で、空気中で表面が酸化されるが、内部までは侵されない特徴があります。    用途としてはガラスの着色剤、YAGレーザーの添加物などに利用されます。   梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。

酸化ニッケル

¥22,680~ 納期:15日

【原産国】CHINA

【用途】その他,磁性材料,冶金,蓄電池等の材料

【商品說明】化学式:NiO 分子量:74.69 密度:7.45g/cm3 融点:1960℃ 屈折率:2.0-2.1 製造方法:HP熱圧 外観:黒色 説明:磁性材料、冶金、蓄電池等の材料として使われています。

金属亜鉛(Zn) - 4N5

¥2,621~ 納期:25日

【原産国】CHINA

【用途】その他,ターゲット

【商品說明】元素記号:Zn 純度:Zn≧99.995% 原子量:65.38 熔  点:419.5℃ 沸  点:907℃ 密  度:7.14g/cm3   用途:半導体材料、ターゲット材 梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。 ミルシート有。

金属マンガン(Mn) - 3N

¥7,150~ 納期:25日

【原産国】CHINA

【用途】その他,ターゲット

【商品說明】素記号:Mn 純度:Mn≧99.9% 原子量:54.94 熔点:1246℃ 沸点:2095℃ 密度:7.3g/cm⊃3; 用途:ターゲット材 梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。 ミルシート有。

スカンジウム(Sc) - 3N

見積対象商品 納期:25日

【原産国】CHINA

【用途】その他,ターゲット

【商品說明】元素記号:Sc 純度:Sc 3N 原子量:44.95 融点:1814℃ 沸点:3109℃ 比重:2.985g/㎝⊃3; 用途:ターゲット材として、特殊合金金属の添加材、電極等 説明:銀白色の軟らかい金属で、空気中で酸化されて淡黄色もしくは淡桃色の酸化皮膜を生成し、常温でハロゲン元素とも反応します。    水や希酸には徐々に溶解し、熱水や酸には容易に溶けます。    ただし、硝酸とフッ化水素酸を1:1で混合した溶液に対しては反応しません。⇒不動態層(金属表面に腐食作用に抵抗する酸化被膜が生じた状態)が形成されるためといわれています。 梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装。 日本国内での実績もあり、品質保証いたします。

ルテチウム(Lu) - 3N

¥20,750~ 納期:25日

【原産国】CHINA

【用途】その他,ターゲット

【商品說明】元素記号:Lu 純度:Lu 3N 原子量:174.96 融点:1925℃ 沸点:3675℃ 比重:9.841g/㎝⊃3; 用途:ターゲット材として、特殊合金金属の添加材、電極等 説明:銀白色の金属で空気中に置くと室温で表面が酸化され、高温で酸化物Lu2O3となります。    希土類元素の一つで、ランタノイド【原子番号57(ランタン)から71(ルテチウム)までの15の元素の総称】の元素としては最も重く、    イットリウムを含む鉱物中に存在します。 梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装。 日本国内での実績もあり、品質保証いたします。

酸フッ化イットリウム(YF3)蒸着材 - 3N5

¥100,683~ 納期:25日

【原産国】CHINA

【用途】蒸着材

【商品說明】Fe203  3N5  分子量:159.6882 融点:1565℃. 沸点:3414 °C 密度(重量):5.24 g/cm⊃3; 相对密度:70% 製造方法:クラック/真空烧结   用途:蒸着材   日本国内での実績有

金属ゲルマニウム(Ge) - 5N

¥5,670~ 納期:25日

【原産国】CHINA

【用途】その他,ターゲット

【商品說明】素記号:Ge 純度:Ge≧99.999% 熔点:937.2℃ 密度:5.32g/cm⊃3;   用途:ターゲット、太陽光半導体部品。 梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。 ミルシート有。