元素記号:Cu
純度:Cu≧99.97%
分子量:63.55
融点:1083℃
沸点:2562℃
密度:8.94g/cm⊃3;
表面:酸洗
用途:良好な導電性、伸び、抗腐食力を有しているため、コストの高い金属材料の代わりに使われることが多いです。
電子、通信、宇宙航空分野等幅広く使われています。
元素記号:Al
純度:Al≧99.999%
分子量:36.98
融点:660.4℃
沸点:2519℃
密度:2.70g/cm⊃3;
表面:研磨
用途:高い導電率と良好な塑性を有しているため、電子工業、半導体材料、ターゲット材及びその他特殊用途として使われています。
純度:Al≧99.99%
元素記号:Fe
純度:Fe≧99.99%
分子量:55.85
融点:1538℃
沸点:2861℃
密度:7.87g/cm⊃3;
用途:良好な延性と導熱性を有しており、イーメタルズで提供している高純度鉄はターゲット材として使われています。その他にも薄膜形成及び宇宙航空関連、電子工業関連とその他特殊用途として使われています。
素記号:Ti
純度:Ti≧99.999%
原子量:47.88
熔点:1668℃
沸点:3277℃
密度:4.506g/cm⊃3;
用途:蒸着材、半導体材料、スパッタリングターゲット材、真空装置内のゲッター材料。
梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装
元素記号:Ni 純度:Ni≧99.995%
原子量:58.69
熔 点:1455℃
沸 点:2732℃
密 度:8.908g/cm3
用途:スパッタリングターゲット、磁性薄膜、特殊電子材料及び合金材料
元素記号:Ni 純度:Ni≧99.99%
元素記号:Ni 純度:Ni≧99.95%
純度:Fe≧99.95%
素記号:Zr
純度:Zr≧99.95%
原子量:91.22
熔点:1855℃
沸点:3580℃
密度:6.506g/cm⊃3;
素記号:W
純度:W≧99.95%
原子量:183.85
熔点:3410℃
沸点:5900℃
密度:19.3g/cm⊃3;
用途:ターゲット材、真空部品、その他特殊用途
元素記号:Mo 純度:Mo≧99.95%
原子量:95.94
熔 点:2623℃
沸 点:4639℃
密 度:10.30g/cm3
用途:蒸着材、ターゲット材として、真空部品、その他
素記号:Ag
純度:Ag≧99.99%
原子量:107.87
熔点:961.8℃
沸点:2210℃
密度:10.5g/cm⊃3;
用途:電子工業、ターゲット材、半導体部品、その他特殊用途
BaF2 - 4N
化学式:BaF2
分子量:175.32
熔点:1360℃
密度:4.80g/cm⊃3;
用途:蒸着材 ※ 無色結晶体、蒸気有毒の為取扱注意必要
Fe203 3N5
分子量:159.6882
融点:1565℃.
沸点:3414 °C
密度(重量):5.24 g/cm⊃3;
相对密度:70%
製造方法:クラック/真空烧结
用途:蒸着材
準備中です…… ※ 日本国内での実績有り ※ ミルシート有り
化学式:CeF2
熔点:1418℃
密度:6.16g/cm⊃3;
化学式:TiO
Ti305 - 3N5
密度(重量):4.29g/cm3
相对密度:90%
Ti02 - 4N
化学式:Ti02
分子量:79.87
密度:4.29 g/cm⊃3;
融点:1800℃
製造方法:真空焼結/HIP
密度:>95%
ZnS - 4N
化学式:ZnS
分子量:97.44
密度:4.09 g/cm⊃3;
元素記号:FeTiO3
B4C - 2N5
品名:炭化ボロン
原子量:55.26
熔点:2350℃
沸点:3500℃
ミルシート有り
素記号:MoO3
原子量:143.94
熔点:795℃
密度:4.69g/cm⊃3;
MgO - 3N5
素記号:MO
原子量:40.3
熔点:2852℃
密度:3.58g/cm⊃3;
素記号:WO3
純度:W≧99.9%
原子量:215.8388
熔点:1473℃
沸点:1837℃
密度:7.27g/cm⊃3;
相対密度:65%
製造方法:クラック/真空焼結
NiO - 4N
分子量:74.69
融点:1984℃
密度(重量):6.67
相对密度:60%
製造方法:ラック/真空烧结
TiC - 2N5
分子量:59.91
融点:3140
沸点:4820
密度(重量):4.93
Cr203 - 3N
分子量:151.99
融点:2266℃
沸点:4000℃
密度(重量):5.21