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元素記号：Ba
純度：B≧99.5%

原子量：137.33

熔  点：727℃

沸  点：1640℃

密  度：3.62g/cm3

用途：脱ガス・エージェント、ゲッター材、合金材料

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装
　　　※ 参加しやすいため、油梱包となります。

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

元素記号：Bi

純度：Bi≧99.99%

原子量：208.98038

融点：271.3℃

沸点：1560℃

生産方法：クリーンルームでの真空溶解により製造されています。

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。
• ミルシート有。

元素記号：Sb

純度：Sb≧99.9%

熔点：630℃

密度：6.69g/mL at 25℃

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

元素記号：Te

純度：Te≧99.99%

熔点：450℃

密度：6.24g/mL at 25 °C

用途：ターゲット、半導体部品。

ペレット状のものは、化工材料及び鋳鉄、ゴム、ガラスなどの添加物として使用されています。

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

元素記号：B
純度：B≧99.9%

原子量：10.811

熔  点：2075℃

沸  点：2550℃

密  度：2.34g/cm3

用途：ターゲット材、半導体材料

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

元素記号：Mg
純度：Mg≧99.95%

原子量：24.30

熔  点：650℃

沸  点：1100℃

密  度：1.738g/cm3

用途：ターゲット材 ※ 蒸着材は電極としても使われています

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

素記号：Mn

純度：Mn≧99.9%

原子量：54.94

熔点：1246℃

沸点：2095℃

密度：7.3g/cm⊃3;

用途：ターゲット材

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

元素記号：Zn
純度：Zn≧99.995%

原子量：65.38

熔  点：419.5℃

沸  点：907℃

密  度：7.14g/cm3

用途：半導体材料、ターゲット材

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

Pb - 4N5           

分子量：207.2

融点：327.502°C

沸点：1749°C

密度(重量)：11.3437

相对密度：100%

表面処理：研磨

製造方法：溶解バブル

• 日本国内での実績有

元素記号：Sb

純度：Sb≧99.9%

熔点：630℃

密度：6.69g/mL at 25℃

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

用途：半導体部品、真空炉部品等様々

タングステンは、金属の中では融点が最も高く、金属としては比較的大きな電気抵抗を持っています。

融点　：　3420℃

沸点　：　5555℃

比重　：19.3g/c㎥;

熱伝導率　：　173W/m・K RT

高い電気抵抗率　：　5.5×10⁻⁸Ωm

低熱膨張率　：　4.2×10⁻⁶m/m・K

ヤング率　：410 GPa

成分：

W≧99.95、Al＜0.002、Fe＜0.005、Ca＜0.005、Mg＜0.003、Ni＜0.003、Si＜0.005

C＜0.008、N＜0.005、O＜0.005、Mo＜0.01

タンタルは、最もよく使われているのはコンデンサーであります。
その他にも、耐蝕性に優れていることから、工業用向けのプラント部品、真空部品等にも良く使われています。

融点　：　3017℃
沸点　：　5458℃
比重　：　16.65g/c㎥;
熱伝導率　：　57.5/m・K
電気抵抗率　：131nΩ・m
熱膨張率　：　6.3um/m・K
ヤング率　：186GPa

成分(ppm)：

Ta≧99.99%

C 40、W80、H 5、O 80、Fe 1、Mo 30、Ni 1、Ti 1、Si 1、Nb 80

元素記号：Te

純度：Te≧99.99%

熔点：450℃

密度：6.24g/mL at 25 °C

用途：ターゲット、半導体部品。

ペレット状のものは、化工材料及び鋳鉄、ゴム、ガラスなどの添加物として使用されています。

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

タンタルは、最もよく使われているのはコンデンサーであります。

その他にも、耐蝕性に優れていることから、工業用向けのプラント部品、真空部品等にも良く使われています。

融点　：　3017℃

沸点　：　5458℃

比重　：　16.65g/c㎥;

熱伝導率　：　57.5/m・K

電気抵抗率　：131nΩ・m

熱膨張率　：　6.3um/m・K

ヤング率　：186GPa

成分：

Ta≧99.95、W＜0.003、Fe＜0.003、Mo＜0.001、Nb＜0.05、Ni＜0.005、Si＜0.005

C＜0.003、N＜0.0015、O＜0.014、H＜0.001、Cu＜0.001

ニオブは、高温では最も超伝導体となる金属であり、性質的にタンタルによく似ていて、より柔らかくて、
展性、延性に富み加工しやすい特徴を持ちます。電気、電子部品としてよく使われます。

◎ 比重　8.57g/ｃｍ⊃3;
◎ 融点　2415℃
◎ 沸点　2900℃

◎ Nb　ball
◎ Fe　0.01
◎ Si　0.01
◎ Ni　0.005
◎ W　0.02
◎ Ti　0.004
◎ Ta　0.07
◎ O　0.015

元素記号：Ba
純度：B≧99.5%

原子量：137.33

熔  点：727℃

沸  点：1640℃

密  度：3.62g/cm3

用途：脱ガス・エージェント、ゲッター材、合金材料

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装
　　　※ 参加しやすいため、油梱包となります。

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

元素記号：Bi

純度：Bi≧99.99%

原子量：208.98038

融点：271.3℃

沸点：1560℃

生産方法：クリーンルームでの真空溶解により製造されています。

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。
• ミルシート有。

元素記号：B
純度：B≧99.9%

原子量：10.811

熔  点：2075℃

沸  点：2550℃

密  度：2.34g/cm3

用途：ターゲット材、半導体材料

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

元素記号：Mg
純度：Mg≧99.95%

原子量：24.30

熔  点：650℃

沸  点：1100℃

密  度：1.738g/cm3

用途：ターゲット材 ※ 蒸着材は電極としても使われています

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

素記号：Mn

純度：Mn≧99.9%

原子量：54.94

熔点：1246℃

沸点：2095℃

密度：7.3g/cm⊃3;

用途：ターゲット材

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

モリブデンは、電極部品、真空部品、坩堝、ヒーター等によく使われています。

成分： Mo≧99.95、Al＜0.002、Fe＜0.003、Ca＜0.001、Mg＜0.002、Ni＜0.002、Si＜0.003

        C＜0.002、N＜0.002、O＜0.003

融点　：　2620℃

沸点　：　4639℃

比重　：　10.3g/c㎥;

熱伝導率　：　138W/m・K

電気抵抗率　：53.4nΩ・m

熱膨張率　：　4.8um/m・K

ヤング率　：3.29GPa

元素記号：Zn
純度：Zn≧99.995%

原子量：65.38

熔  点：419.5℃

沸  点：907℃

密  度：7.14g/cm3

用途：半導体材料、ターゲット材

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

Pb - 4N5           

分子量：207.2

融点：327.502°C

沸点：1749°C

密度(重量)：11.3437

相对密度：100%

表面処理：研磨

製造方法：溶解バブル

• 日本国内での実績有

元素記号：Sb

純度：Sb≧99.9%

熔点：630℃

密度：6.69g/mL at 25℃

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

元素記号：Bi

純度：Bi≧99.99%

原子量：208.98038

融点：271.3℃

沸点：1560℃

生産方法：クリーンルームでの真空溶解により製造されています。

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。
• ミルシート有。

元素記号：Te

純度：Te≧99.99%

熔点：450℃

密度：6.24g/mL at 25 °C

用途：ターゲット、半導体部品。

ペレット状のものは、化工材料及び鋳鉄、ゴム、ガラスなどの添加物として使用されています。

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

素記号：Ti

純度：Ti≧99.999%

原子量：47.88

熔点：1668℃

沸点：3277℃

密度：4.506g/cm⊃3;

用途：半導体材料、スパッタリングターゲット材、真空装置内のゲッター材料。

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

素記号：V

純度：V≧99.5%

原子量：50.94

熔点：1910℃

沸点：3407℃

密度：6.11g/cm⊃3;

用途：ターゲット材

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。