準備中です…… ※ 日本国内での実績有り ※ ミルシート有り
ZnO - 4N
分子量:81.39
融点:1975℃
沸点:2360 °C
密度(重量):5.606
相对密度:98%
製造方法:クラック/真空烧结
用途:蒸着材
BN - 2N5
分子量:24.8177
融点:3000℃
密度(重量):2.26
相对密度:75%
製造方法:クラック/真空窒素熱圧烧结
融点:2980℃
密度(重量): 4.52 g/cm3
相对密度:90%
製造方法:クラック/真空熱圧烧结
SiO2 - 4N
分子量:60.08
融点:1650(±50)℃
沸点:2230℃
密度(重量):2.65
相对密度:100%
製造方法:クラック/溶解
素記号:Hf
純度:Hf≧99.9%
原子量:178.49
熔点:2227℃
沸点:4602℃
密度:13.31g/cm⊃3;
梱包:クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装
元素記号:Cu
純度:Cu≧99.999%
分子量:63.55
融点:1083℃
沸点:2562℃
密度:8.94g/cm⊃3;
表面:酸洗
用途:良好な導電性、伸び、抗腐食力を有しているため、コストの高い金属材料の代わりに使われることが多いです。
電子、通信、宇宙航空分野等幅広く使われています。
純度:Cu≧99.97%
元素記号:Al
純度:Al≧99.999%
分子量:36.98
融点:660.4℃
沸点:2519℃
密度:2.70g/cm⊃3;
表面:研磨
用途:高い導電率と良好な塑性を有しているため、電子工業、半導体材料、ターゲット材及びその他特殊用途として使われています。
純度:Al≧99.99%
元素記号:Fe
純度:Fe≧99.99%
分子量:55.85
融点:1538℃
沸点:2861℃
密度:7.87g/cm⊃3;
用途:良好な延性と導熱性を有しており、イーメタルズで提供している高純度鉄はターゲット材として使われています。その他にも薄膜形成及び宇宙航空関連、電子工業関連とその他特殊用途として使われています。
素記号:Ti
純度:Ti≧99.999%
原子量:47.88
熔点:1668℃
沸点:3277℃
密度:4.506g/cm⊃3;
用途:蒸着材、半導体材料、スパッタリングターゲット材、真空装置内のゲッター材料。
元素記号:Ni 純度:Ni≧99.995%
原子量:58.69
熔 点:1455℃
沸 点:2732℃
密 度:8.908g/cm3
用途:スパッタリングターゲット、磁性薄膜、特殊電子材料及び合金材料
元素記号:Ni 純度:Ni≧99.99%
元素記号:Ni 純度:Ni≧99.95%
純度:Fe≧99.95%
素記号:Zr
純度:Zr≧99.95%
原子量:91.22
熔点:1855℃
沸点:3580℃
密度:6.506g/cm⊃3;
素記号:W
純度:W≧99.95%
原子量:183.85
熔点:3410℃
沸点:5900℃
密度:19.3g/cm⊃3;
用途:ターゲット材、真空部品、その他特殊用途
元素記号:Mo 純度:Mo≧99.95%
原子量:95.94
熔 点:2623℃
沸 点:4639℃
密 度:10.30g/cm3
用途:蒸着材、ターゲット材として、真空部品、その他
素記号:Ag
純度:Ag≧99.99%
原子量:107.87
熔点:961.8℃
沸点:2210℃
密度:10.5g/cm⊃3;
用途:電子工業、ターゲット材、半導体部品、その他特殊用途
BaF2 - 4N
化学式:BaF2
分子量:175.32
熔点:1360℃
密度:4.80g/cm⊃3;
用途:蒸着材 ※ 無色結晶体、蒸気有毒の為取扱注意必要
Fe203 3N5
分子量:159.6882
融点:1565℃.
沸点:3414 °C
密度(重量):5.24 g/cm⊃3;
相对密度:70%
化学式:CeF2
熔点:1418℃
密度:6.16g/cm⊃3;
化学式:TiO
Ti305 - 3N5
密度(重量):4.29g/cm3
Ti02 - 4N
化学式:Ti02
分子量:79.87
密度:4.29 g/cm⊃3;
融点:1800℃
製造方法:真空焼結/HIP
密度:>95%
ZnS - 4N
化学式:ZnS
分子量:97.44
密度:4.09 g/cm⊃3;
元素記号:FeTiO3