準備中です…… ※ 日本国内での実績有り ※ ミルシート有り
ZnO - 4N
分子量：81.39
融点：1975℃
沸点：2360 °C
密度(重量)：5.606
相对密度：98%
製造方法：クラック／真空烧结
用途：蒸着材
BN - 2N5
分子量：24.8177
融点：3000℃
密度(重量)：2.26
相对密度：75%
製造方法：クラック／真空窒素熱圧烧结
融点：2980℃
密度(重量)： 4.52 g/cm3
相对密度：90%
製造方法：クラック／真空熱圧烧结
SiO2 - 4N
分子量：60.08
融点：1650(±50)℃
沸点：2230℃
密度(重量)：2.65
相对密度：100%
製造方法：クラック／溶解
素記号：Hf
純度：Hf≧99.9%
原子量：178.49
熔点：2227℃
沸点：4602℃
密度：13.31g/cm⊃3;
梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装
元素記号：Cu
純度：Cu≧99.999%
分子量：63.55
融点：1083℃
沸点：2562℃
密度：8.94g/cm⊃3;
表面：酸洗
用途：良好な導電性、伸び、抗腐食力を有しているため、コストの高い金属材料の代わりに使われることが多いです。
電子、通信、宇宙航空分野等幅広く使われています。
純度：Cu≧99.97%
元素記号：Al
純度：Al≧99.999%
分子量：36.98
融点：660.4℃
沸点：2519℃
密度：2.70g/cm⊃3;
表面：研磨
用途：高い導電率と良好な塑性を有しているため、電子工業、半導体材料、ターゲット材及びその他特殊用途として使われています。
純度：Al≧99.99%
元素記号：Fe
純度：Fe≧99.99%
分子量：55.85
融点：1538℃
沸点：2861℃
密度：7.87g/cm⊃3;
用途：良好な延性と導熱性を有しており、イーメタルズで提供している高純度鉄はターゲット材として使われています。その他にも薄膜形成及び宇宙航空関連、電子工業関連とその他特殊用途として使われています。
素記号：Ti
純度：Ti≧99.999%
原子量：47.88
熔点：1668℃
沸点：3277℃
密度：4.506g/cm⊃3;
用途：蒸着材、半導体材料、スパッタリングターゲット材、真空装置内のゲッター材料。
元素記号：Ni 純度：Ni≧99.995%
原子量：58.69
熔 点：1455℃
沸 点：2732℃
密 度：8.908g/cm3
用途：スパッタリングターゲット、磁性薄膜、特殊電子材料及び合金材料
元素記号：Ni 純度：Ni≧99.99%
元素記号：Ni 純度：Ni≧99.95%
純度：Fe≧99.95%
素記号：Zr
純度：Zr≧99.95%
原子量：91.22
熔点：1855℃
沸点：3580℃
密度：6.506g/cm⊃3;
素記号：W
純度：W≧99.95%
原子量：183.85
熔点：3410℃
沸点：5900℃
密度：19.3g/cm⊃3;
用途：ターゲット材、真空部品、その他特殊用途
元素記号：Mo 純度：Mo≧99.95%
原子量：95.94
熔 点：2623℃
沸 点：4639℃
密 度：10.30g/cm3
用途：蒸着材、ターゲット材として、真空部品、その他
素記号：Ag
純度：Ag≧99.99%
原子量：107.87
熔点：961.8℃
沸点：2210℃
密度：10.5g/cm⊃3;
用途：電子工業、ターゲット材、半導体部品、その他特殊用途
BaF2 - 4N
化学式：BaF2
分子量：175.32
熔点：1360℃
密度：4.80g/cm⊃3;
用途：蒸着材 ※ 無色結晶体、蒸気有毒の為取扱注意必要
Fe203 3N5
分子量：159.6882
融点：1565℃.
沸点：3414 °C
密度(重量)：5.24 g/cm⊃3;
相对密度：70%
化学式：CeF2
熔点：1418℃
密度：6.16g/cm⊃3;
化学式：TiO
Ti305 - 3N5
密度(重量)：4.29g/cm3
Ti02 - 4N
化学式：Ti02
分子量：79.87
密度：4.29 g/cm⊃3;
融点：1800℃
製造方法：真空焼結／HIP
密度：＞95%
ZnS - 4N
化学式：ZnS
分子量：97.44
密度：4.09 g/cm⊃3;
元素記号：FeTiO3
