キーワード候補
準備中です…… ※ 日本国内での実績有り ※ ミルシート有り
化学記号：ZnO2
分子量：123.22
融点：2700℃
沸点：4300 °C
密度(重量)：5.89
相对密度：65%
製造方法：クラック／真空烧结
用途：蒸着材
分子量： 72.64
融点： 938.25℃
沸点： 2830℃
密度(重量)： 5.35
相对密度：100%
製造方法：クラック／区域溶解
純度：V≧99.5%
原子量：50.94
熔点：1910℃
沸点：3407℃
密度：6.11g/cm⊃3;
用途：ターゲット材
梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装
Pb - 4N5
分子量：207.2
融点：327.502°C
沸点：1749°C
密度(重量)：11.3437
表面処理：研磨
製造方法：溶解バブル
元素記号：La
純度：La 3N
原子量：138.91
融点：920℃
沸点：3464℃
密度：6.17g/cm⊃3;
用途：ターゲット材として
説明：希土類元素の一つで、空気中で表面が酸化され、高温では酸化ランタン(III) La2O3 と
なります。ハロゲン元素と反応し、水にはゆっくりと溶ける性質を持っています。
分子量：140.116
融点： 799℃
沸点：3426℃
密度(重量)：6.7
表面処理：アセトン研磨、油の中にて包装
製造方法：真空溶解カット
分子量：157.25
融点：1311.0 ℃
沸点：3233.0 ℃
密度(重量)：7.9004
分子量：88.90585
融点：1522℃
沸点：3338℃
密度(重量)：4.4689
分子量：162.5
融点：1409
沸点：2562
密度(重量)：8.54
元素記号：Ba 純度：B≧99.5%
原子量：137.33
熔 点：727℃
沸 点：1640℃
密 度：3.62g/cm3
用途：脱ガス・エージェント、ゲッター材、合金材料
元素記号：Mg 純度：Mg≧99.95%
原子量：24.30
熔 点：650℃
沸 点：1100℃
密 度：1.738g/cm3
用途：蒸着材、ターゲット材 ※ 蒸着材は電極としても使われています
分子量：92.90638
融点：2468℃
沸点：4742℃
密度(重量)：8.57
相对密度：95%
表面処理：カット酸洗
製造方法：ニオブ材カット
ZnO - 4N
分子量：81.39
融点：1975℃
沸点：2360 °C
密度(重量)：5.606
相对密度：98%
BN - 2N5
分子量：24.8177
融点：3000℃
密度(重量)：2.26
相对密度：75%
製造方法：クラック／真空窒素熱圧烧结
融点：2980℃
密度(重量)： 4.52 g/cm3
相对密度：90%
製造方法：クラック／真空熱圧烧结
SiO2 - 4N
分子量：60.08
融点：1650(±50)℃
沸点：2230℃
密度(重量)：2.65
製造方法：クラック／溶解
素記号：Hf
純度：Hf≧99.9%
原子量：178.49
熔点：2227℃
沸点：4602℃
密度：13.31g/cm⊃3;
元素記号：Cu
純度：Cu≧99.999%
分子量：63.55
融点：1083℃
沸点：2562℃
密度：8.94g/cm⊃3;
表面：酸洗
用途：良好な導電性、伸び、抗腐食力を有しているため、コストの高い金属材料の代わりに使われることが多いです。
電子、通信、宇宙航空分野等幅広く使われています。
純度：Cu≧99.97%
元素記号：Al
純度：Al≧99.999%
分子量：36.98
融点：660.4℃
沸点：2519℃
密度：2.70g/cm⊃3;
表面：研磨
用途：高い導電率と良好な塑性を有しているため、電子工業、半導体材料、ターゲット材及びその他特殊用途として使われています。
純度：Al≧99.99%
元素記号：Fe
純度：Fe≧99.99%
分子量：55.85
融点：1538℃
沸点：2861℃
密度：7.87g/cm⊃3;
用途：良好な延性と導熱性を有しており、イーメタルズで提供している高純度鉄はターゲット材として使われています。その他にも薄膜形成及び宇宙航空関連、電子工業関連とその他特殊用途として使われています。
素記号：Ti
純度：Ti≧99.999%
原子量：47.88
熔点：1668℃
沸点：3277℃
密度：4.506g/cm⊃3;
用途：蒸着材、半導体材料、スパッタリングターゲット材、真空装置内のゲッター材料。
元素記号：Ni 純度：Ni≧99.995%
原子量：58.69
熔 点：1455℃
沸 点：2732℃
密 度：8.908g/cm3
用途：スパッタリングターゲット、磁性薄膜、特殊電子材料及び合金材料
