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元素記号：Bi

純度：Bi≧99.99%

原子量：208.98038

融点：271.3℃

沸点：1560℃

生産方法：クリーンルームでの真空溶解により製造されています。

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。
• ミルシート有。

元素記号：Sb

純度：Sb≧99.9%

熔点：630℃

密度：6.69g/mL at 25℃

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

元素記号：Te

純度：Te≧99.99%

熔点：450℃

密度：6.24g/mL at 25 °C

用途：ターゲット、半導体部品。

ペレット状のものは、化工材料及び鋳鉄、ゴム、ガラスなどの添加物として使用されています。

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

素記号：Ge

純度：Ge≧99.999%

熔点：937.2℃

密度：5.32g/cm⊃3;

用途：ターゲット、太陽光半導体部品。

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

素記号：Zr

純度：Zr≧99.95%

原子量：91.22

熔点：1855℃

沸点：3580℃

密度：6.506g/cm⊃3;

Hf≦0.1

用途：ターゲット、特殊合金溶解に使われている。

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

素記号：Hf

純度：Hf≧99.9%

原子量：178.49

熔点：2227℃

沸点：4602℃

密度：13.31g/cm⊃3;

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

素記号：Ti

純度：Ti≧99.999%

原子量：47.88

熔点：1668℃

沸点：3277℃

密度：4.506g/cm⊃3;

用途：半導体材料、スパッタリングターゲット材、真空装置内のゲッター材料。

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

素記号：V

純度：V≧99.5%

原子量：50.94

熔点：1910℃

沸点：3407℃

密度：6.11g/cm⊃3;

用途：ターゲット材

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

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ミルシート有。

素記号：Mn

純度：Mn≧99.9%

原子量：54.94

熔点：1246℃

沸点：2095℃

密度：7.3g/cm⊃3;

用途：ターゲット材

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

• 日本国内での実績もあり、品質保証致します。

ミルシート有。

素記号：Co

純度：Co≧99.95%

原子量：58.91

熔点：1495℃

沸点：2927℃

密度：8.92g/cm⊃3;

用途：金属コバルトは、良好な半導体性質と、磁性及び導電性能を有しています。

　　　高純度コバルトは、磁気記録媒体、光電気のセンサー、集積回路等の装置部品によ

く使われている重要な材料でもあります。

主に、金属ターゲット材及び合金ターゲット材として使われています。

そして、高純度コバルトは、半導体の薄膜形成用の材料としても使われています。

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

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ミルシート有。

元素記号：Ni
純度：Ni≧99.99%

原子量：58.69

熔  点：1455℃

沸  点：2732℃

密  度：8.908g/cm3

用途：スパッタリングターゲット、磁性薄膜、特殊電子材料及び合金材料

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

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ミルシート有。

元素記号：Cr
純度：Cr≧99.95%

原子量：54.9961

熔  点：1907℃

沸  点：2671℃

密  度：7.19g/cm3

用途：金属クロムは、耐摩耗、抗腐食、スパッタリングの付着力が良く、

なお、優れた導熱導電性を有しているため、半導体チップ、精密電子部品、光学材料のコーティング材料として使われています。

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

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ミルシート有。

元素記号：Zn
純度：Zn≧99.995%

原子量：65.38

熔  点：419.5℃

沸  点：907℃

密  度：7.14g/cm3

用途：半導体材料、ターゲット材

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

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ミルシート有。

元素記号：Mg
純度：Mg≧99.95%

原子量：24.30

熔  点：650℃

沸  点：1100℃

密  度：1.738g/cm3

用途：ターゲット材 ※ 蒸着材は電極としても使われています

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

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ミルシート有。

元素記号：B
純度：B≧99.9%

原子量：10.811

熔  点：2075℃

沸  点：2550℃

密  度：2.34g/cm3

用途：ターゲット材、半導体材料

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

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ミルシート有。

元素記号：Ba
純度：B≧99.5%

原子量：137.33

熔  点：727℃

沸  点：1640℃

密  度：3.62g/cm3

用途：脱ガス・エージェント、ゲッター材、合金材料

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ミルシート有。

元素記号：Sr
純度：Sr≧99.5%

原子量：87.62

熔  点：777℃

沸  点：1382℃

密  度：2.64g/cm3

用途：ゲッター材、ターゲット材

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ミルシート有。

元素記号：Ca
純度：Ca≧99.5%

原子量：40.178

熔  点：842℃

沸  点：1484℃

密  度：1.55g/cm3

用途：脱ガス・エージェント、ゲッター材

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ミルシート有。

元素記号：Li
純度：Li≧99.9%

原子量：6.94

熔  点：180.54℃

沸  点：1330℃

密  度：0.53g/cm3

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ミルシート有。

元素記号：Pb
純度：Pb≧99.95%

原子量：207.2

熔  点：327.5℃

沸  点：1749℃

密  度：11.34g/cm3

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ミルシート有。

元素記号：W
純度：W≧99.95%

原子量：183.84.2

熔  点：3695℃

沸  点：5828℃

密  度：19.30g/cm3

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

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ミルシート有。

元素記号：Mo
純度：Mo≧99.95%

原子量：95.96

熔  点：2896℃

沸  点：4912℃

密  度：10.30g/cm3

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

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ミルシート有。

元素記号：Ta
純度：Ta≧99.95%

原子量：180.94788

熔  点：3290℃

沸  点：5731℃

密  度：16.69g/cm3

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

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ミルシート有。

元素記号：Ta
純度：Ta≧99.99%

原子量：180.94788

熔  点：3290℃

沸  点：5731℃

密  度：16.69g/cm3

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

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ミルシート有。

元素記号：Nb
純度：Nb≧99.9%

原子量：92.90638

熔  点：2750℃

沸  点：5017℃

密  度：8.57g/cm3

梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装

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ミルシート有。