タングステン(W)蒸着材 - 3N5

【商品說明】HfO2 - 4N     分子量：210.4888 融点：2182 密度(重量)：9.68 相对密度：60% 製造方法：破片／圧片焼結   用途：蒸着材                                      日本国内での実績有

【商品說明】分子量：140.116 融点： 799℃ 沸点：3426℃ 密度(重量)：6.7 相对密度：100% 表面処理：アセトン研磨、油の中にて包装 製造方法：真空溶解カット   用途：蒸着材                                      日本国内での実績有

【商品說明】化学式：AlN 分子量：40.99 融点：2200℃ 密度：3.26g/cm3 製造方法：HP熱圧 説明：焼結、鋳造、アルミ或いはアルミ合金の坩堝材料として使われています。

【商品說明】元素記号：Tb 純度：Tb　3N 原子量：158.93 融点：1356℃ 沸点：3230℃ 密度：8.27g/cm⊃3;   用途：ターゲット材として、その他   説明：銀白色の金属で、水にゆっくりと溶け、酸に易溶します。 　　　空気中で表面が酸化され、高温で燃えて Tb2O3、更に Tb4O7 となります。 　　　テレビのブラウン管、水銀灯の蛍光体の材料に利用されます。   梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。

【商品說明】化学式：Nb2O5 分子量：265.82 密度：4.46g/cm3 融点：1530℃ 屈折率：2.3 透明波段(um）：0.36-9um 製造方法：HP熱圧 外観：黒色 説明：屈折率が高く、コーティング層の緻密、抗化学腐食作用を有しています。

【商品說明】元素記号：Zn 純度：Zn≧99.995% 原子量：65.38 熔  点：419.5℃ 沸  点：907℃ 密  度：7.14g/cm3   用途：半導体材料、ターゲット材 梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。 ミルシート有。

【商品說明】素記号：Ge 純度：Ge≧99.999% 熔点：937.2℃ 密度：5.32g/cm⊃3;   用途：ターゲット、太陽光半導体部品。 梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。 ミルシート有。

【商品說明】Ti02 - 4N   化学式：Ti02 分子量：79.87 密度：4.29 g/cm⊃3; 融点：1800℃ 製造方法：真空焼結／HIP 密度：＞95% 表面：研磨   用途：蒸着材   日本国内での実績有り ミルシート有り

【商品說明】元素記号：Cu 純度：Cu≧99.999% 分子量：63.55 融点：1083℃ 沸点：2562℃ 密度：8.94g/cm⊃3; 表面：酸洗   用途：良好な導電性、伸び、抗腐食力を有しているため、コストの高い金属材料の代わりに使われることが多いです。 　　電子、通信、宇宙航空分野等幅広く使われています。   日本国内での実績有り ミルシート有り

【商品說明】元素記号：Nb 純度：Nb　3N 原子量：92.91 融点：2468℃ 沸点：5017℃ 密度：8.57g/cm⊃3;   用途：ターゲット材として、特殊合金金属の添加材等   説明：銀白色の軟らかい金属で、空気中で表面が不動態となります。 　　　タンタルに化学的性質がよく似ていて、鉱物中の結晶構造上でも共存しています。 　　　金属としては、より軟らかく展性・延性に富み、加工し易い特性ももっています。   梱包：クリーン処理されている特殊ビニール袋での真空包装   日本国内での実績もあり、品質保証致します。